第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心 投產(chǎn)

 

　　9月6日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會在南京市江寧開發(fā)區(qū)舉辦。國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)一期項(xiàng)目竣工投產(chǎn)。

 

　　國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)主任陳辰介紹，經(jīng)過了解調(diào)研，該中心排出國家重點(diǎn)需求在新能源轎車、光伏、軌道交通、高壓輸變電、智能電網(wǎng)等五大跑道，確定了攻堅(jiān)“新能源轎車用高電流密度高牢靠碳化硅MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)產(chǎn)品”和“面向智能電網(wǎng)和高鐵使用的高壓大功率碳化硅電力電子器件”兩大方向，從碳化硅電力電子的基礎(chǔ)理論、資料生長、器件制備、系統(tǒng)使用等四個(gè)方面，聯(lián)合生態(tài)伙伴們一道攻關(guān)。

 

　　該中心一期項(xiàng)目依托中電集團(tuán)55所原有廠房區(qū)域，以存量帶增量的方法，打造6英寸SiC(碳化硅)電力電子器件研發(fā)與中試平臺，在國內(nèi)首先打破6英寸碳化硅MOSFET批量生產(chǎn)技術(shù)，構(gòu)成具有自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化硅器件技術(shù)系統(tǒng)。二期項(xiàng)目計(jì)劃于2024年開建，工廠將打造8英寸第三代半導(dǎo)體芯片制造、先進(jìn)晶圓封裝、模塊封裝平臺。

 

　　活動現(xiàn)場會集簽約的10個(gè)項(xiàng)目，構(gòu)成了從裝備到資料、芯片、模組、封裝檢測及下游使用的產(chǎn)業(yè)鏈布局。